檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "黃鶯聲".ccommittee (精準) and year="95"
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性，並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現，雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm，並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術，其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份，本研究以Raman、RHEED系統量測…
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為了實現塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功地利用反應式濺鍍的方式來沉積對351nm波長具備0~56000cm-1吸收係數之SixNy半透光膜，並配合熱滯留輔助結晶技術，在塑膠基板上開發出超低溫多晶矽…
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本論文研究半透光膜輔助矽膜雷射長晶，在Si (90 nm)/SiO2 (100 nm)/SiONx (1200 nm)，α=15000 cm-1條件下，成功得到20 µm的矽晶粒，並利用…
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本研究以管狀高溫爐利用化學氣相沉積法以氬氣和氧氣當载氣來沉積氧化鋅(ZnO)薄膜於矽基板上。和熱處理實驗的結果來做探討。剛沉積氧化鋅薄膜則用場發射掃描電子顯微鏡 (FE-SEM)、X光繞射譜線(XR…
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本實驗利用熱化學氣相沉積法成長圖形化的奈米碳管束。利用微影製程在矽基板上製作出不同半徑與不同間距的圖形化。改變不同的成長時間來控制奈米碳管束的高度。鐵當做觸媒金屬層，鋁為緩衝層。成長碳管的最佳條件為…
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本研究探討以鑭鈣鈷鐵氧化物(La0.75Ca0.25)(CoxFe1-x)O3 (x=0.1~0.9)，作為匹配鑭鏑鉬鎢氧化物電解質(La1.8Dy0.2)(Mo2-xWx)O9 (x=0.4及1.…
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本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先，在全氮氣氣氛下成長時，發現成長壓力為75 torr時，可以成長出表面較為平坦的薄膜，但因薄膜電性仍未…
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本論文藉由反應性濺鍍的方法，研究在濺鍍矽網印於SA(100)及SA(012)基板上，選擇性區域成長二氧化釕奈米桿。二氧化釕奈米桿垂直成長於SA(100)基板上，傾斜35o成長於SA(012)基板，利…